Samsung i IBM razvili novu tehnologiju za čipove koja bi znatno mogla produžiti trajanje baterija mobitela

Samsung i IBM prezentirali su novi dizajn vertikalnih tranzistora (VTFET), koji bi mogao transformirati industriju poluvodiča i udahnuti još nekoliko godina života Mooreovom zakonu. Ali i baterijama pametnih telefona do tjedan dana više od onoga koliko trenutno traju. A to je eventualno jedan dan.

Naime, ono što iz dviju kompanija tvrde jest da novitet smanjuje potrošnju energije za 85 posto u usporedbi s finFET (field-effect tranzistori) tehnologijom koja se koristi u današnjim čipovima.

Kao što samo ime novih tranzistora navodi, postavljaju se vertikalno umjesto horizontalno i to ostavlja ponešto dodatnog prostora, koji je nedostajao industriji kako bi mogla nastaviti s Mooreovim zakonom.

Inače, taj zakon navodi da se broj tranzistora na čipovima udvostručuje svake dvije godine. Istini za volju, s baterijama nikad nećemo doživjeti takva poboljšanja. Ali, neočekivano bismo upravo zahvaljujući tranzistorima mogli.

A onda bi se mogla promijeniti i aktualna slika. Jer, od 1991. do danas se svake godine baterije poboljšaju za 13 posto u prosjeku, što možda na prvu zvuči sjajno, ali je presporo. Posebno u ova moderna digitalna vremena kad ovisimo o sve više uređaja koji zahtijevaju bateriju... I ono što imamo na njima crpi energiju na razne načine. Vratimo se Samsungovom i IBM-ovom otkriću.

Prema onome što tvrde iz tih kompanija, VTFET bi se trebao primjenjivati s novom 2nm tehnologijom za čipove i ta kombinacija bi omogućila postavljanje 50 milijardi tranzistora na njega. Za IBM smanjenje čipova nija nikakav novitet, 2017. je predstavio čip od 5nm i to je probilo tadašnje okvire. A još u svibnju prezentiran je skorašnji dolazak čipa od 2nm. Samo, tad se ovaj novi vertikalni dizajn još uvijek nije spominjao.

Očito je stiglo vrijeme i za to, što znači da bismo mu mogli svjedočiti možda već i u 2022.