Kinezi kreirali tranzistor bez silicija i do 40 posto je brži od najboljih Intelovih

Stručnjaci sa Sveučilišta u Pekingu tvrde da su stvorili tranzistor bez silicija, za koji se očekuje da će značajno poboljšati brzinu i učinkovitost procesora.

Ovo otkriće detaljno je opisano u novoj studiji objavljenoj u časopisu Nature Materials, koja objašnjava arhitekturu čipa sljedeće generacije koja bi mogla zamijeniti tradicionalne mikroprocesore na bazi silicija kakve poznajemo.

Novi dizajn koristi dvodimenzionalni materijal nazvan bizmut oksiselenid, za koji se u studiji objašnjava da nije samo tanji i fleksibilniji od silicija, već također omogućuje brže kretanje elektrona uz bolju kontrolu električnih struja. Prema studiji, novi tranzistor može u potpunosti omotati upravljačku elektrodu oko svake strane izvora, pružajući potpunu pokrivenost.

Naime, tradicionalni dizajni tranzistora mogu pokriti samo tri strane izvora, a budući da novi dizajn može omotati upravljačku elektrodu oko cijelog izvora, dolazi do manjeg gubitka energije i bolje kontrole struje, što dizajnerima omogućuje brže i učinkovitije performanse. Istraživači koji stoje iza ovog rada navode da novi tranzistor bez silicija ima potencijal biti 40 posto brži od vrhunskih čipova na bazi silicija tvrtki poput Intela, dok istovremeno koristi deset posto manje energije.

Kako je to moguće? Svojstva bizmut oksiselenida omogućuju brže kretanje elektrona, a vodeći istraživač Hailin Peng kaže:

"Ako se inovacije čipova temeljene na postojećim materijalima smatraju prečacem, onda je naš razvoj tranzistora temeljenih na 2D materijalima sličan 'promjeni trake."

Trenutno je tranzistor bez silicija još uvijek u fazi razvoja i ni blizu masovne proizvodnje, a istraživači prvo moraju utvrditi može li se povećati njegova proizvodnja. Međutim, ako se pokaže uspješnim, industrija mikroprocesora zasigurno će biti uzdrmana.